| 主权项 |
一种半导体发光元件，系为具备：发光半导体区域，其系具有发光机能；电流分散半导体层，其系配置于前述发光半导体区域之上，并且具有光取出面；第1电极，其系配置于前述电流分散半导体层的前述光取出面的一部分；及第2电极，其系电气地连接至前述发光半导体区域的另一方的主面；之半导体发光元件，其特征在于：凹部系形成于复数的第1假想直线上，其系平面上来看，系由前述第1电极的周缘朝向前述电流分散半导体层的前述光取出面的周缘来延伸之同时；凹部并未形成于位在前述第1假想直线之相互间之复数的第2假想直线上，其系由前述第1电极的周缘朝向前述电流分散半导体层的前述光取出面的周缘来延伸。如申请专利范围第1项所记载之半导体发光元件，其中前述第1电极，平面上来看，系具有圆形的周缘；前述复数的第1假想直线及前述复数的第2假想直线，系由前述第1的电极的圆形的周缘延伸成放射状。如申请专利范围第1项所记载之半导体发光元件，其中前述第1电极，系由复数的突出部，其系平面上来看，系由圆形中央部及前述圆形中央部朝向前述电流分散半导体层的前述光取出面的周缘来延伸；所形成；前述复数的第1假想直线及前述复数的第2假想直线，系由前述第1电极的前述圆形中央部的周缘延伸成放射状，再者，凹部系形成于复数的第3假想直线上，其系平面上来看，系由前述第1电极的前述突出部的周缘朝向前述电流分散半导体层的前述光取出面的周缘来延伸；凹部并未形成于复数的第4假想直线上，其系由前述第1电极的前述突出部的周缘朝向前述电流分散半导体层的前述光取出面的周缘来延伸。如申请专利范围第1项所记载之半导体发光元件，其中前述第1电极，系由于前述电流分散半导体层的前述光取出面上互相地分离作配置之复数的电极部分所形成；前述复数的第1假想直线及前述复数的第2假想直线，系由前述第1电极的前述复数的电极部分的周缘，朝向表示前述复数的电极部分的相互间的中间位置之假想直线，并延伸成放射状。如申请专利范围第2项所记载之半导体发光元件，其中于前述复数的第1假想直线上分别配置复数的凹部，前述复数的凹部，系将前述第1电极设为基准并配置成同心圆状。如申请专利范围第1至5项中之任一项所记载之半导体发光元件，其中系依位于离前述电流分散半导体层的前述第1电极近的区域之前述凹部的分布密度，比较起位于离前述第1电极较前述近的区域更远之区域之前述凹部的分布密度，系变得更低之方式来配置前述凹部。如申请专利范围第1至5项中之任一项所记载之半导体发光元件，其中前述凹部的深度系为0.2~4μm。如申请专利范围第1至5项中之任一项所记载之半导体发光元件，其中前述凹部的宽度系为0.2~4μm。如申请专利范围第1至5项中之任一项所记载之发光元件，其中更进一步具有光透射性导电膜，其系配置于前述电流分散半导体层的前述光取出面上。如申请专利范围第1至5项中之任一项所记载之发光元件，其中更进一步具有光反射导体层，其系配置于与前述发光半导体区域的前述光取出面相反的主面上。 |
