| 摘要 |
1. Способ, где ! выращивают полупроводниковую структуру, содержащую AlGaInP светоизлучающий слой, расположенный между областью n-типа и областью р-типа, на подложке роста; ! формируют n- и р-контакты, электрически соединенные с областями n- и р-типа полупроводниковой структуры, где оба контакта расположены на одной стороне полупроводниковой структуры, и где, по меньшей мере, один из n- и р-контактов является отражающим; ! присоединяют данную полупроводниковую структуру к креплению; и ! после присоединения полупроводниковой структуры к креплению удаляют подложку роста; ! где данная полупроводниковая структура содержит контактный слой р-типа, расположенный между данной областью р-типа и данным р-контактом; и ! часть данного контактного слоя р-типа легируют до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·1018 см-3 для обеспечения электрического контакта. ! 2. Способ по п.1, где удаление подложки роста содержит травление подложки роста травлением, которое заканчивается на слое остановки травления, расположенном между данной полупроводниковой структурой и данной подложкой роста, и где данный слой остановки травления представляет собой AlGaAs; и часть полупроводниковой структуры, находящаяся в непосредственном контакте со слоем остановки травления, представляет собой AlGaInP. ! 3. Способ по п.1, где n- и р-контакты формируют до присоединения полупроводниковой структуры к креплению, n-контакт содержит Au и Ge; и n-контакт находится в непосредственном контакте с III-Р слоем n-типа. ! 4. Способ по п.1, где: ! оставшаяся часть данного контактного слоя р-типа существенно больше, чем часть, легированная до концентрации дырок, по меньшей мере, 5·1018 см-3, кот� |
