Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement

摘要

Halbleiterbauelement und Verfahren. Eine Ausführungsform stellt folgendes bereit: ein Halbleitersubstrat (50) mit einem Graben (30) mit einer Seitenwandisolation (36), die ein erstes isolierendes Material umfasst, eine in einem unteren Teil (31) des Grabens (30) gebildete Feldelektrode (34), eine Abdeckung (37), die ein zweites Material umfasst, über der Feldelektrode (34), wobei das zweite Material selektiv zum ersten isolierenden Material ätzbar ist, ein Gatedielektrikum (38) auf der Seitenwand in einem oberen Teil (32) des Grabens (30) und eine Gateelektrode (35) in dem oberen Teil (32) des Grabens (30).