| 发明名称 | 用于P型氮化物发光装置的超薄欧姆接触及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体基发光装置(LED)，可包含p型氮化物层和该p型氮化物层上的金属欧姆接触。该金属欧姆接触平均厚度约小于<img file="dsa00000575687400011.GIF" wi="127" he="57" />比接触电阻率约小于10<sup>-3</sup>ohm·cm<sup>2</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN102324452A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN201110276702.9 | 申请日期 | 2005.07.27 |
| 申请人 | 克里公司 | 发明人 | M·拉费托;J·巴拉坦;K·哈贝雷恩;M·伯格曼;D·埃默森;J·伊贝特森;T·李 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 高为;王忠忠 |
| 主权项 | 一种形成半导体基发光装置的方法，包括：在n型衬底上形成p型氮化物层；在所述p型氮化物层上形成金属欧姆接触，通过对所述金属欧姆接触的俄歇分析测量，所述金属欧姆接触覆盖小于100％的所述p型氮化物层；以及停止形成所述金属欧姆接触。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗来纳州 | ||