一种控制CFZ硅单晶挥发物沉积的炉腔辅助装置及其方法

摘要

本发明涉及控制CFZ硅单晶挥发物沉积的炉腔辅助装置及其方法，装置由固定在区熔硅单晶炉体炉腔中部炉壁上的上隔离罩和下隔离罩组成，形成一个区熔炉腔内的炉中封闭腔体，通过炉腔辅助装置的上隔离罩和下隔离罩构成的封闭腔体缩小了原有炉腔内的掺杂腔体积，改变原有的掺杂气流模型；掺杂过程中，混合气体由上、下部罩体流出封闭腔体，同时带走挥发物，再由出气口排出，从而使得挥发物不会沉积在加热线圈上，本发明装置安装，拆卸及清理简单，容易操作，成本较低，对于气掺CFZ单晶的成晶率由60%提高到70%以上，同时，降低了生产成本，提高了生产效益。

主权项

一种控制CFZ硅单晶挥发物沉积的炉腔辅助装置，其特征在于，装置由固定在区熔硅单晶炉体炉腔中部炉壁上的上隔离罩和下隔离罩组成；所述上隔离罩由上部圆盘（5）和圆桶形的上部罩体（2）构成；上部圆盘（5）中心孔径与上部罩体（2）外径相同，上部圆盘（5）和上部罩体（2）结合成一体；所述下隔离罩由下部圆盘（8）和圆桶形的下部罩体（11）构成；下部圆盘（8）中心孔径与下部罩体（11）外径相同，下部圆盘（8）和下部罩体（11）结合成一体；上隔离罩和下隔离罩镜像对称固定在区熔硅单晶炉的炉腔内；上部圆盘（5）的外径和区熔硅单晶炉的炉腔内径相同，上部圆盘（5）的外径边沿通过弯脚（6）和固定螺丝（3）与炉腔内壁固定；下部圆盘（8）的外径和区熔硅单晶炉的炉腔内径相同，下部圆盘（8）的外径边沿通过弯脚（6）和固定螺丝（3）与炉腔内壁固定；上隔离罩和下隔离罩镜像对称固定在区熔硅单晶炉的炉腔内；上隔离罩的上部罩体（2）位置朝上方置放；下隔离罩的下部罩体（11）位置朝下方置放形成一个区熔炉腔内的炉中封闭腔体（9）。