| 主权项 |
一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含晶圆(100)、晶圆(100)上的若干层薄膜层(20)和若干沟槽(30)；所述若干沟槽(30)开设形成在所述薄膜层(20)上，并将该晶圆(100)上连续敷设的所述若干层薄膜层(20)分隔成若干区域。如申请专利范围第1项所述的一种能够消减应力的结构，其中，所述若干层薄膜层(20)是分别位于所述晶圆(100)正反两面的；所述若干沟槽(30)是分别位于所述晶圆(100)一面或正反两面的薄膜层(20)上的。如申请专利范围第1项所述的一种能够消减应力的结构，其中，所述晶圆(100)上包含若干半导体晶片(101)；所述若干沟槽(30)是刻蚀形成在所述相邻晶片(101)的边界(102)位置的。如申请专利范围第3项所述的一种能够消减应力的结构，其中，所述若干沟槽(30)在所述晶圆(100)上形成十字型、长条型或是网格型的凹槽图案。如申请专利范围第4项所述的一种能够消减应力的结构，其中，所述薄膜层(20)是依次沉积在所述晶圆(100)上作为栅极的栅极氧化层(21)和多晶矽层(22)；所述若干沟槽(30)是在所述晶圆(100)上生成栅极后，刻蚀所述栅极氧化层(21)、多晶矽层(22)形成的。一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含玻璃基板(200)、玻璃基板(200)上的若干层薄膜层(20)和若干沟槽(30)；所述若干沟槽(30)开设形成在所述薄膜层(20)上，并将该玻璃基板(200)上连续敷设的所述若干层薄膜层(20)分隔成若干区域。如申请专利范围第6项所述的一种能够消减应力的结构，其中，所述薄膜层(20)包含在所述玻璃基板(200)上蒸镀形成的若干层透明导电层。如申请专利范围第6项所述的一种能够消减应力的结构，其中，所述玻璃基板(200)包含若干单元板(201)；所述若干沟槽(30)是刻蚀形成在玻璃基板(200)上相邻单元板(201)的边界(102)位置的。如申请专利范围第6项所述的一种能够消减应力的结构，其中，所述若干沟槽(30)在所述玻璃基板(200)上形成十字型、长条型或是网格型的凹槽图案。一种能够消减应力的结构，其特征在于，包含晶圆(100)和开设形成在晶圆(100)上的若干沟槽(30)；所述若干沟槽(30)将该晶圆(100)分隔成若干晶片加工区(110)。 |
