发明名称 半穿透半反射式液晶显示装置
摘要
申请公布号 TWI356220 申请公布日期 2012.01.11
申请号 TW093115290 申请日期 2004.05.28
申请人 奇美电子股份有限公司 发明人 杨秋莲;凌维仪
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人
主权项 一种半穿透半反射式液晶显示装置,其包括:一第一基板;一第二基板;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间,其中该液晶层之液晶分子为水平配向;一设置于第一基板之上偏光板;一设置于上偏光板与液晶层间之第一上延迟片,其中该第一上延迟片为四分之一波长片;一设置于第一上延迟片与液晶层间之上补偿片;一公共电极设置于第一基板之内表面;一像素电极形成于第二基板之内表面;一像素电极、公共电极及夹于其中之液晶层构成一像素区域,该像素区域具一反射区域及一穿透区域;一设置于第二基板之下偏光板;一设置于下偏光板与液晶层间之第一下延迟片,其中该第一下延迟片为四分之一波长片;一形成于第一下延迟片与液晶层间之下补偿片;其中,该上补偿片与下补偿片为双轴补偿片,该反射区域之液晶层及上补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF1=m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF1为上补偿片之相位延迟。如申请专利范围第1项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层及上、下补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF1+RetF2=mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF1、RetF2分别为上补偿片及下补偿片之相位延迟。如申请专利范围第2项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该上偏光板之偏振轴与下偏光板之偏振轴垂直。如申请专利范围第3项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第一下延迟片之光轴与第一上延迟片之光轴垂直。如申请专利范围第4项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一分别设置于上偏光板与第一上延迟片间及下偏光板与第一下延迟片间之第二上延迟片与第二下延迟片,其中该第二上延迟片与第二下延迟片为二分之一波长片。如申请专利范围第5项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第二下延迟片之光轴与第二上延迟片之光轴垂直。如申请专利范围第6项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第二下延迟片之光轴与下偏光板之偏振轴具一夹角θ。如申请专利范围第7项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中第一下延迟片之光轴与下偏光板之偏振轴之夹角为2θ±45°。如申请专利范围第8项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中θ在8°~22°或68°~82°之间。一种半穿透半反射式液晶显示装置,其包括:一第一基板;一第二基板;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间,其中该液晶层之液晶分子为水平配向;一设置于第一基板之上偏光板;一设置于上偏光板与液晶层间之第一上延迟片,其中该第一上延迟片为四分之一波长片;一设置于第一上延迟片与液晶层间之上补偿片;一公共电极设置于第一基板之内表面;一像素电极形成于第二基板之内表面;一像素电极、公共电极及夹于其中之液晶层构成一像素区域,该像素区域具一反射区域及一穿透区域;一设置于第二基板之下偏光板;一设置于下偏光板与液晶层间之第一下延迟片,其中该第一下延迟片为四分之一波长片;一形成于第一下延迟片与液晶层间之下补偿片;其中,该上补偿片与下补偿片为双轴补偿片,该反射区域之液晶层及上补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,…RetLCR(VOn)+RetF1=±m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF1为上补偿片之相位延迟。如申请专利范围第10项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层及上、下补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF1+RetF2=±mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF1、RetF2分别为上补偿片及下补偿片之相位延迟。如申请专利范围第11项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中上偏光板与下偏光板之偏振轴互相垂直,第一上延迟片与第一下延迟片之光轴方向互相垂直。如申请专利范围第12项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第一下延迟片之光轴与该下偏光板之偏振轴之夹角为45°。如申请专利范围第10项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层厚度大于反射区域之液晶层厚度。如申请专利范围第10项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该像素电极进一步包括一透明电极与一反射电极。如申请专利范围第15项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一设置于该透明电极与反射电极间之钝化层。如申请专利范围第16项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射电极与该钝化层具一穿透开口。如申请专利范围第10项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一分别形成于第一基板与第二基板内侧且与液晶层相接触之配向膜。一种半穿透半反射式液晶显示装置,其包括:一第一基板;一第二基板;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间,其中该液晶层之液晶分子为水平配向;一形成于第一基板之上偏光板;一形成于上偏光板与液晶层间之第一上延迟片,其中该第一上延迟片为四分之一波长片;一形成于第一上延迟片与液晶层间之第一上补偿片;一公共电极设置于第一基板之内表面;一像素电极形成于第二基板之内表面;一像素电极、公共电极及夹于其中之液晶层构成一像素区域,该像素区域具一反射区域及一穿透区域;一形成于第二基板之下偏光板;一形成于下偏光板与液晶层间之第一下延迟片,其中该第一下延迟片为四分之一波长片;一形成于第一下延迟片与液晶层间之第一下补偿片;其中该第一上补偿片与第一下补偿片为A-板补偿片。如申请专利范围第19项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该A-板补偿片由负单轴晶体材料或正单轴晶体材料制成。如申请专利范围第20项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射区域之液晶层及第一上补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF1=±m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF1为第一上补偿片之相位延迟。如申请专利范围第21项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层、第一上补偿片及第一下补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF1+RetF2=±mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF1、RetF2分别为第一上补偿片及第一下补偿片之相位延迟。如申请专利范围第22项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该上偏光板之偏振轴与下偏光板之偏振轴垂直。如申请专利范围第23项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第一下延迟片之光轴与第一上延迟片之光轴垂直。如申请专利范围第24项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第一下延迟片之光轴与该下偏光板之偏振轴之夹角为45°。如申请专利范围第25项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一分别设置于上偏光板与第一上延迟片间及下偏光板与第一下延迟片间之第二上延迟片与第二下延迟片,其中该第二上延迟片与第二下延迟片为二分之一波长片。如申请专利范围第26项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第二下延迟片之光轴与第二上延迟片之光轴垂直。如申请专利范围第27项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第二下延迟片之光轴与下偏光板之偏振轴具一夹角θ。如申请专利范围第28项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中第一下延迟片之光轴与下偏光板之偏振轴之夹角为2θ±45°。如申请专利范围第29项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中θ在8°~22°或68°~82°之间。如申请专利范围第30项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一分别形成于第一上补偿片与液晶层间及第一下补偿片与液晶层间之第二上补偿片与第二下补偿片。如申请专利范围第31项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第二上补偿片与第二下补偿片为盘状分子膜。如申请专利范围第32项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射区域之液晶层、第一上补偿片及第二上补偿片之相位关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF1+RetF3=m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF1为第一上补偿片之相位延迟,RetF3为第二上补偿片之相位延迟。如申请专利范围第33项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层、第一上补偿片、第一下补偿片、第二上补偿片及第二下补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF1+RetF2+RetF3+RetF4=mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF1、RetF2分别为第一上补偿片及第一下补偿片之相位延迟,RetF3、RetF4分别为第二上补偿片及第二下补偿片之相位延迟。如申请专利范围第19项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层厚度大于反射区域之液晶层厚度。如申请专利范围第19项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该像素电极进一步包括一透明电极与一反射电极。如申请专利范围第36项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一设置于该透明电极与反射电极间之钝化层。如申请专利范围第37项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射电极与该钝化层具一穿透开口。如申请专利范围第19项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一分别形成于第一基板与第二基板内侧且与液晶层相接触之配向膜。如申请专利范围第30项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一形成于第一上补偿片与液晶层间之第二上补偿片,其中该第二上补偿片为盘状分子膜。如申请专利范围第40项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射区域之液晶层、第一上补偿片及第二上补偿片之相位关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF1+RetF3=m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF1为第一上补偿片之相位延迟,RetF3为第二上补偿片之相位延迟。如申请专利范围第41项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层、第一上补偿片、第一下补偿片及第二上补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF1+RetF2+RetF3=mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF1、RetF2分别为第一上补偿片及第一下补偿片之相位延迟,RetF3为第二上补偿片之相位延迟。如申请专利范围第30项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一形成于第一下补偿片与液晶层间之第二下补偿片,其中该第二下补偿片为盘状分子膜。如申请专利范围第43项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射区域之液晶层及第一上补偿片之相位关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF1=m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF1为第一上补偿片之相位延迟。如申请专利范围第44项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层、第一上补偿片、第一下补偿片及第二下补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF1+RetF2+RetF3=mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF1、RetF2分别为第一上补偿片及第一下补偿片之相位延迟,RetF3为第二下补偿片之相位延迟。一种半穿透半反射式液晶显示装置,其包括:一第一基板;一第二基板;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间,其中该液晶层之液晶分子为水平配向;一形成于第一基板之上偏光板;一形成于上偏光板与液晶层间之第一上延迟片,其中该第一上延迟片为四分之一波长片;一形成于第一上延迟片与液晶层间之第一上补偿片;一公共电极设置于第一基板之内表面;一像素电极形成于第二基板之内表面;一像素电极、公共电极及夹于其中之液晶层构成一像素区域,该像素区域具一反射区域及一穿透区域;一形成于第二基板之下偏光板;一形成于下偏光板与液晶层间之第一下延迟片,其中该第一下延迟片为四分之一波长片;一形成于第一下延迟片与液晶层间之第一下补偿片;其中该第一上补偿片与第一下补偿片为盘状分子膜。如申请专利范围第46项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射区域之液晶层及上补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF1=m(λ/2),m0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF1为上补偿片之相位延迟。如申请专利范围第47项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层及上、下补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF1+RetF2=mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF1、RetF2分别为上补偿片及下补偿片之相位延迟。一种半穿透半反射式液晶显示装置,其包括:一第一基板;一第二基板;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间,其中该液晶层之液晶分子为水平配向;一形成于第一基板之上偏光板;一形成于上偏光板与液晶层间之第一上延迟片,其中该第一上延迟片为四分之一波长片;一公共电极形成于第一基板之内表面;一像素电极形成于第二基板之内表面;一像素电极、公共电极及夹于其中之液晶层构成一像素区域,该像素区域具一反射区域及一穿透区域;一形成于第二基板之下偏光板;一形成于下偏光板与液晶层间之第一下延迟片,其中该第一下延迟片为四分之一波长片;第一下延迟片与液晶层间或第一上延迟片与液晶层间至少其一具一补偿片;其中该补偿片为A-板补偿片。如申请专利范围第49项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射区域之液晶层及补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF=±m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF为补偿片之相位延迟。如申请专利范围第50项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层及补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF=±mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF为补偿片之相位延迟。如申请专利范围第51项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该上偏光板与下偏光板之偏振轴相互垂直。如申请专利范围第52项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第一上延迟片与第一下延迟片之光轴互相垂直,且与上偏振片及下偏振片之偏振轴成45度夹角。一种半穿透半反射式液晶显示装置,其包括:一第一基板;一第二基板;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间,其中该液晶层之液晶分子为水平配向;一形成于第一基板之上偏光板;一形成于上偏光板与液晶层间之第一上延迟片,其中该第一上延迟片为四分之一波长片;一公共电极形成于第一基板之内表面;一像素电极形成于第二基板之内表面;一像素电极、公共电极及夹于其中之液晶层构成一像素区域,该像素区域具一反射区域及一穿透区域;一形成于第二基板之下偏光板;一形成于下偏光板与液晶层间之第一下延迟片,其中该第一下延迟片为四分之一波长片;第一下延迟片与液晶层间或第一上延迟片与液晶层间至少其一具一补偿片;其中该补偿片为盘状分子膜。如申请专利范围第54项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一分别设置于上偏光板与第一上延迟片间及下偏光板与第一下延迟片间之第二上延迟片与第二下延迟片,其中该第二上延迟片与第二下延迟片为二分之一波长片。如申请专利范围第55项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射区域之液晶层及补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF=m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF为补偿片之相位延迟。如申请专利范围第56项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层及补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF=mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF为补偿片之相位延迟。如申请专利范围第57项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该上偏光板与下偏光板之偏振轴相互垂直。如申请专利范围第58项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第二下延迟片之光轴与下偏光板之偏振轴具一夹角θ。如申请专利范围第59项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中第一下延迟片之光轴与下偏光板之偏振轴之夹角为2θ±45°。如申请专利范围第49项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该穿透区域之液晶层厚度大于反射区域之液晶层厚度。如申请专利范围第49项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该像素电极进一步包括一透明电极与一反射电极。如申请专利范围第62项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一设置于该透明电极与反射电极间之钝化层。如申请专利范围第63项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射电极与该钝化层具一穿透开口。如申请专利范围第49项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一分别形成于第一基板与第二基板内侧且与液晶层相接触之配向膜。一种半穿透半反射式液晶显示装置,其包括:一第一基板;一第二基板;一液晶层,夹于该第一基板与该第二基板之间,其中该液晶层之液晶分子为水平配向;一形成于第一基板之上偏光板;一形成于上偏光板与液晶层间之第一上延迟片,其中该第一上延迟片为四分之一波长片;一公共电极形成于第一基板之内表面;一像素电极形成于第二基板之内表面;一像素电极、公共电极及夹于其中之液晶层构成一像素区域,该像素区域具一反射区域及一穿透区域;一形成于第二基板之下偏光板;一形成于下偏光板与液晶层间之第一下延迟片,其中该第一下延迟片为四分之一波长片;第一下延迟片与液晶层间或第一上延迟片与液晶层间至少其一具一补偿片;其中该反射区域之液晶层及补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)=λ/4±m(λ/2),m=0,1,2,… RetLCR(VOn)+RetF=±m(λ/2),m=0,1,2,…其中,RetLCR(VOff)为未施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetLCR(VOn)为施加电压时反射区域之液晶层之相位延迟,RetF为补偿片之相位延迟;该穿透区域之液晶层及补偿片之相位延迟关系满足公式:RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)=λ/2±mλ,m=0,1,2,… RetLCT(VOn)+RetF1+RetF2=±mλ,m=0,1,2,…其中,RetLCT(VOff)为未施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetLCT(VOn)为施加电压时穿透区域之液晶层之相位延迟,RetF为补偿片之相位延迟。如申请专利范围第66项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该上偏光板与下偏光板之偏振轴相互垂直。如申请专利范围第67项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第一上延迟片与第一下延迟片之光轴互相垂直。如申请专利范围第68项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一分别设置于上偏光板与第一上延迟片间及下偏光板与第一下延迟片间之第二上延迟片与第二下延迟片,其中该第二上延迟片与第二下延迟片为二分之一波长片。如申请专利范围第69项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该第二下延迟片之光轴与下偏光板之偏振轴具一夹角θ。如申请专利范围第70项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中第一下延迟片之光轴与下偏光板之偏振轴之夹角为2θ±45°。如申请专利范围第71项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中θ在8°~22°或68°~82°之间。如申请专利范围第66项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该补偿片为双轴补偿片。如申请专利范围第66项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该补偿片为单轴补偿片。如申请专利范围第66项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该像素电极包括一透明电极与一反射电极。如申请专利范围第75项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,进一步包括一设置于该透明电极与反射电极间之钝化层。如申请专利范围第66项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射电极与该钝化层具一穿透开口。如申请专利范围第66项所述之半穿透半反射式液晶显示装置,其中该反射区域之液晶层厚度小于穿透区域之液晶层厚度。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学园区科学路160号