发明名称 |
包含低K介电材料的工件的激光处理 |
摘要 |
一激光输出,该激光输出含有至少一具有一长于1.1μm而短于5μm(最好约1.1μm)的波长并且具有一窄于100ps(最好是窄于10ps)的脉冲宽度的激光脉冲(32),可供移除比如SRO或SiCOH的低k介电材料而不致损害到基材。利用一与一放大模块(16)并同运作的震荡器模块(12)以产生该激光输出。 |
申请公布号 |
CN101432853B |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN200780015533.5 |
申请日期 |
2007.05.22 |
申请人 |
伊雷克托科学工业股份有限公司 |
发明人 |
布莱恩·W.·拜尔德 |
分类号 |
H01L21/301(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/301(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静 |
主权项 |
一种以激光处理一由一晶圆基材所载荷的低k介电材料的方法,其中包含:产生含有至少一激光脉冲的激光输出,该脉冲具有一长于1.1μm及短于5μm的波长并且具有一窄于100微微秒的脉冲宽度的原始高斯照射轮廓;利用至少一光束塑形组件以将该原始高斯照射轮廓转换成一近似均匀照射轮廓,或者转换成一超高斯照射轮廓;利用一孔径屏蔽,该孔径屏蔽是放置在由该光束塑形组件所产生的激光输出的光束腰处或附近,该孔径屏蔽具有非圆形孔径以阻挡该激光输出的任何不需的侧波瓣及外围部分;以及导引该激光输出至该低k介电材料的一目标部分,该激光输出的光点大小的范围是10μm到100μm并且咬齿大小的范围为1nm到10μm,使得移除该低k介电材料的目标部分,而该基材则未受损伤。 |
地址 |
美国俄勒冈州 |