发明名称 |
发光器件及其制造方法 |
摘要 |
含有有机化合物的发光元件的不足之处在于它易于受到各种因素的影响而退化,所以它的最大问题是增加它的可靠性(使它的使用寿命更长)。本发明提供一种有源矩阵型发光器件的制造方法,以及具有高可靠性的这种有源矩阵型发光器件的结构。在方法中,形成延伸到源区或漏区的接触孔,然后在层间绝缘膜上形成由光敏有机绝缘材料制成的层间绝缘膜。在层间绝缘膜的上端部具有弯曲表面。随后,用RF电源通过溅射的方法形成由氮化硅膜提供的膜的厚度为20到50nm的层间绝缘膜。 |
申请公布号 |
CN101017797B |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN200710078967.1 |
申请日期 |
2003.05.15 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;村上智史;纳光明 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张雪梅;魏军 |
主权项 |
一种发光器件的制造方法,包括以下步骤:形成覆盖薄膜晶体管的源区和所述薄膜晶体管的漏区的无机绝缘膜;通过蚀刻所述无机绝缘膜形成延伸到所述源区和所述漏区之一的第一接触孔;在所述无机绝缘膜上形成有机绝缘膜;通过蚀刻所述有机绝缘膜形成延伸到所述源区和所述漏区之一的第二接触孔;形成连接电极,用于连接所述源区和所述漏区之一;形成覆盖所述连接电极的层间绝缘膜;通过蚀刻所述层间绝缘膜形成延伸到所述连接电极的第三接触孔;形成接触所述连接电极的第一电极;形成覆盖所述第一电极的一部分的堤岸;在所述第一电极和所述堤岸上形成含有有机化合物的层;以及在所述含有有机化合物的层上形成第二电极。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |