3B族氮化物的晶体生长方法及3B族氮化物晶体

摘要

在使氮化镓晶体生长时，将晶种基板浸泡于含有镓和钠的混合熔液中。接着，在含氮气不含氧气的加压气氛下，以加热混合熔液的状态，使氮化镓晶体生长在晶种基板上。此时，作为搅拌混合熔液的条件，先采用第1搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变凹凸，其后，再采用第2搅拌条件，其被设定为使氮化镓晶体生长于晶种基板上以使生长面变平滑。

主权项

一种3B族氮化物的晶体生长方法，将晶种基板浸泡于含有3B族金属和助熔剂的混合熔液中，在含氮气不含氧的加压气氛下，以加热的状态使3B族氮化物晶体生长在所述晶种基板上，作为搅拌所述混合熔液的条件，采用第1搅拌条件，其被设定为使生长面变凹凸，使所述3B族氮化物晶体生长，其后，作为搅拌所述混合熔液的条件，采用第2搅拌条件，其被设定为使生长面变平滑，使所述3B族氮化物晶体生长。