发明名称 各向异性导电构件及其制备方法
摘要 本发明提供一种各向异性导电构件,所述各向异性导电构件具有显著增加的导电通路设置密度,并且即使现在已经获得了较高的集成化水平时,也可以将其用作用于电子部件如半导体器件的电连接构件或检查连接器,并且它具有优异的挠性。该各向异性导电构件包括:绝缘基材和多个导电通路,所述导电通路由导电材料制成,彼此绝缘,并且在绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材,所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出,所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出。绝缘基材由树脂材料制成,并且导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。
申请公布号 CN102318141A 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN201080007930.X 申请日期 2010.02.17
申请人 富士胶片株式会社 发明人 富田忠文;畠中优介;铃木信也;松浦睦;堀田吉则;上杉彰男
分类号 H01R11/01(2006.01)I;H01B5/16(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;H01R43/00(2006.01)I 主分类号 H01R11/01(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 陈平
主权项 一种各向异性导电构件,所述各向异性导电构件包括:绝缘基材和多个导电通路,所述导电通路由导电材料制成,彼此绝缘,并且在所述绝缘基材的厚度方向上延伸通过所述绝缘基材,所述导电通路的每一个的一端在所述绝缘基材的一侧突出,所述导电通路的每一个的另一端在所述绝缘基材的另一侧暴露或突出,其中所述绝缘基材由树脂材料制成并且所述导电通路以至少1,000,000个导电通路/mm2的密度形成。
地址 日本国东京都