发明名称 | 采用HSQ工艺制作位相型二元衍射光学元件的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种采用HSQ工艺制作位相型二元衍射光学元件的方法,该方法包括:A、制作二元衍射光学元件掩模版;B、在基片上涂HSQ胶,用所述掩模版对基片进行光刻,并烘干,蒸金属膜;C、采用电化学腐蚀法选择性去除基片上的金属膜;D、对基片进行烘干,得到位相型二元衍射光学元件。相对于传统的刻蚀法,本发明具有制造工艺简单,成本低,稳定性好,并能能达到更高的分辨率等特性,有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
申请公布号 | CN102313917A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
申请号 | CN201010222584.9 | 申请日期 | 2010.06.30 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 谢常青;潘一鸣;朱效立;刘明 |
分类号 | G02B5/18(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
主权项 | 一种采用HSQ工艺制作位相型二元衍射光学元件的方法,其特征在于,该方法包括:A、制作二元衍射光学元件掩模版;B、在基片上涂HSQ胶,用所述掩模版对基片进行光刻,并烘干,蒸金属膜;C、采用电化学腐蚀法选择性去除基片上的金属膜;D、对基片进行烘干,得到位相型二元衍射光学元件。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |