发明名称 |
用于高功率应用的激光熔丝结构及其熔断方法 |
摘要 |
本发明涉及一种用于高功率应用的激光熔丝结构。具体地,本发明的激光熔丝结构包括第一和第二导电支承元件(12a、12b)、至少一个导电可熔链(14)、第一和第二连接元件(20a、20b)、以及第一和第二金属线(22a、22b)。导电支承元件(12a、12b)、导电可熔链(14)、以及金属线(22a、22b)位于第一金属层级(3),而连接元件(20a、20b)位于不同的第二金属层级(4)且通过延伸于第一和第二金属层级(3、4)之间的导电通路堆叠(18a、18b、23a、23b)连接到导电支承元件(12a、12b)和金属线(22a、22b)。 |
申请公布号 |
CN101322244B |
申请公布日期 |
2012.01.04 |
申请号 |
CN200680045051.X |
申请日期 |
2006.11.27 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
斯蒂芬·E·格雷科;埃里克·L·赫德伯格;张大勇;保罗·S·麦克劳克林;克里斯托弗·D·马齐;诺曼·J·罗勒;简·E·温 |
分类号 |
H01L23/525(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/525(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种激光熔丝结构,包括:第一和第二导电支承元件,以间隔开的关系位于集成电路芯片的第一金属层级;多个导电可熔链,位于该第一金属层级且在该第一和第二导电支承元件之间用于直接连接该第一和第二导电支承元件,其中该多个导电可熔链平行布置且彼此间隔开不超过2μm的距离,该多个导电可熔链中的每个包括至少12μm的长度,不超过1.5μm的厚度和不超过1μm的宽度,其中该多个导电可熔链具有不小于30mA的电流容量;第一和第二连接元件,位于该集成电路芯片的不同的第二金属层级,其中该第一和第二导电支承元件通过第一和第二通路堆叠分别连接到该第一和第二连接元件,该第一和第二通路堆叠每个包括延伸于该第一和第二金属层级之间的一个或多个导电通路;以及第一和第二金属线,位于该第一金属层级,其中该第一和第二连接元件通过第三和第四通路堆叠分别连接到该第一和第二金属线,该第三和第四通路堆叠每个包括延伸于该第一和第二金属层级之间的一个或多个导电通路。 |
地址 |
美国纽约阿芒克 |