| 发明名称 | 一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法，该阴极由9741玻璃、SiO2钝化层、Si3N4增透膜、变带隙AlxGa1-xAs缓冲层、GaAs发射层以及Cs/O激活层组成；在一定厚度的AlxGa1-xAs缓冲层内，生长从AlxGa1-xAs到GaAs发射层Al组分逐渐降低的变带隙缓冲层，构建从AlxGa1-xAs到GaAs的内建电场，在内建电场的作用下，AlxGa1-xAs层中产生的光电子以扩散加漂移的方式输运到发射层，从而提高短波光子的光电发射量子效率，达到蓝延伸的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN102306600A | 申请公布日期 | 2012.01.04 |
| 申请号 | CN201110202343.2 | 申请日期 | 2011.07.19 |
| 申请人 | 东华理工大学 | 发明人 | 邹继军;常本康;张益军;金解云;邓文娟;彭新村 |
| 分类号 | H01J29/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人 | 施秀瑾 |
| 主权项 | 一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极，该阴极由9741玻璃、SiO2钝化层、Si3N4增透膜、变带隙AlxGa1‑xAs缓冲层、GaAs发射层以及Cs/O激活层组成，其特征在于：所述变带隙AlxGa1‑xAs缓冲层，厚度为1~2μm，p型掺杂浓度(5~10)×1018cm‑3，AlxGa1‑xAs层Al组分由Si3N4增透膜往GaAs发射层方向由最大0.4~0.7线性下降到零。 | ||
| 地址 | 江西省抚州市学府路56号 | ||