发明名称 使用穿硅通孔的改进的光伏电池效率
摘要 一种光伏电池包括具有第一节点和第二节点的光伏层。第一传导层电耦合到所述光伏层的所述第二节点,使得所述第一传导层不阻挡光到达所述光伏层。第二传导层邻近于所述第一传导层但与所述第一传导层电绝缘,使得所述第二传导层定位于其不阻挡光到达所述光伏层的地方。至少一个穿硅通孔电耦合到所述光伏层的所述第一节点和所述第二传导层,但与所述光伏层和所述第一传导层的至少一部分电绝缘。
申请公布号 CN102308392A 申请公布日期 2012.01.04
申请号 CN201080006662.X 申请日期 2010.02.18
申请人 高通股份有限公司 发明人 托马斯·R·汤姆斯;顾时群
分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人 宋献涛
主权项 一种光伏电池,其包含:光伏层,其具有第一节点和第二节点;第一传导层,其电耦合到所述光伏层的所述第一节点,使得所述第一传导层不阻挡光到达所述光伏层;第二传导层,其邻近于所述第一传导层但与所述第一传导层电绝缘,所述第二传导层经定位以使得所述第二传导层不阻挡光到达所述光伏层;以及至少一个穿硅通孔,其电耦合到所述光伏层的所述第一节点和所述第二传导层两者,所述穿硅通孔与所述光伏层和所述第一传导层的至少一部分电绝缘。
地址 美国加利福尼亚州