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一种远红外线基材的制成方法，其步骤包含：提供一真空腔，其内部设置一溅镀靶源，该溅镀靶源上放置一靶材，该靶材包含一远红外线释放物质，该远红外线释放物质为基于天然矿物之材料以及所释放之远红外线具有在4~16μm波长的放射系数在0.9以上；将一基材放置于该真空腔内；以离子源处理预处理该基板之一表面；在该真空腔内充入一气体以形成一电浆；以及控制该真空腔中该气体之流量为10~200c.c./min、该气体之压力为10-1~10-8托尔(Torr)以及该真空腔内之温度介于25℃-100℃，在此条件下溅镀该远红外线释放物质至该基材之该表面。如申请专利范围第1项所述远红外线基材的制成方法，其中该溅镀包含以下步骤：(a)通以一电流，使该远红外线释放物质被该电浆轰击溅出；以及(b)该远红外线释放物质沉积在该基材之至少一表面，形成一薄层。如申请专利范围第2项所述远红外线基材的制成方法，其中该溅镀步骤更包含一离子源表面处理步骤。如申请专利范围第1项所述远红外线基材的制成方法，其中步骤(c)该气体选自氩气、氧气及两者混合至少其中之一。如申请专利范围第2项所述远红外线基材的制成方法，其中步骤(d)该电流由一直流电源、一射频电源、一脉冲直流电源及一微波电源其中之一所提供。如申请专利范围第2项所述远红外线基材的制成方法，其中该薄层厚系为1奈米~10微米。如申请专利范围第2项所述远红外线基材的制成方法，其中该薄层在可见光范围的穿透率介于60~99%。如申请专利范围第2项所述远红外线基材的制成方法，其中该薄层在可见光范围的穿透率介于80~99%。如申请专利范围第2项所述远红外线基材的制成方法，其中该薄层系由至少一层之远红外线释放物质所堆叠而成。如申请专利范围第1项所述远红外线基材的制成方法，其中该基材如系选自金属、玻璃、陶瓷及高分子材质至少其中之一。如申请专利范围第1项所述远红外线基材的制成方法，其中该远红外线释放物质的组成分包含氧化铝。 |
