发明名称 基于场发射冷阴极的阵列X射线源
摘要 本发明公开了一种基于场发射冷阴极的阵列X射线源,该X射线源包括阴极基板(1)、阴极电极(11)、用于发射电子束(7)的场致发射体(12)、反射式阳极靶(13);其中,在阴极基板(1)上设有阴极电极(11),在阴极电极(11)上设有场致发射体(12),反射式阳极靶(13)位于阴极基板(1)上方且与阴极基板(1)相对设置,反射式阳极靶(13)与阴极基板(1)平行;场致发射体(12)发射出的电子束(7)轰击到反射式阳极靶(13)上,产生的X射线(8)穿过阴极基板(1)出射。本发明提供的基于场发射冷阴极的阵列X射线源用于小型化和便携式X射线诊断仪,也可以应用于阵列X射线源的扫描成像。
申请公布号 CN102299036A 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN201110201083.7 申请日期 2011.07.18
申请人 东南大学 发明人 雷威;张晓兵;李驰;娄朝刚;崔一平
分类号 H01J35/06(2006.01)I 主分类号 H01J35/06(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 柏尚春
主权项 一种基于场发射冷阴极的阵列X射线源,其特征在于:该X射线源包括阴极基板(1)、阴极电极(11)、用于发射电子束(7)的场致发射体(12)、反射式阳极靶(13);其中在阴极基板(1)上设有阴极电极(11),在阴极电极(11)上设有场致发射体(12),反射式阳极靶(13)位于阴极基板(1)上方且与阴极基板(1)相对设置,反射式阳极靶(13)与阴极基板(1)平行;场致发射体(12)发射出的电子束(7)轰击到反射式阳极靶(13)上,产生的X射线(8)穿过阴极基板(1)出射。
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