| 发明名称 | PTCDA/P-Si异质结光电探测器低阻欧姆电极芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种PTCDA/P-S异质结光电探测器低阻欧姆电极芯片，包括铝电极层、P-Si衬底、PTCDA层和ITO膜，ITO膜的表面设有经溅射、光刻和腐蚀后形成的镍柱；镍柱的表面设有经溅射、光刻和腐蚀后形成的铝柱。该镍柱和铝柱形成低阻欧姆电极，经测试该低阻欧姆电极的比接触电阻为2.3×10-5Ω.cm2，能有效地改善光电探测器的光电特性，提高光电探测器的稳定性及可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN202094178U | 申请公布日期 | 2011.12.28 |
| 申请号 | CN201120070565.9 | 申请日期 | 2011.03.17 |
| 申请人 | 甘肃联合大学 | 发明人 | 张旭 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人 | 田玉兰 |
| 主权项 | 一种PTCDA/P‑Si异质结光电探测器低阻欧姆电极芯片，包括依次叠层的铝电极层（6）、P‑Si衬底（5）、PTCDA层（4）和ITO膜（3），其特征在于，所述的ITO膜（3）表面设有经溅射、光刻和腐蚀后形成的镍柱（2）；所述的镍柱（2）表面设有经溅射、光刻和腐蚀后形成的铝柱（1）。 | ||
| 地址 | 730000 甘肃省兰州市城关区北面滩400号 | ||