发明名称 高发光效率的发光二极管
摘要 本发明公开了一种高发光效率的发光二极管,其包含:发光芯片,其具有N型半导体材料层及P型半导体材料层;多个透光柱,形成在发光芯片的P型半导体材料层上;多个金属层,分别形成在每一个透光柱的端部;金属底板,结合所述多个透光柱,且与各金属层形成共晶结合;填充材料,其具有反射性及导热性,且填充于各透光柱之间的间距内。本发明利用金属层与金属底板形成共晶结合,以及利用填充材料来反射光线及传导热量,将黏着与热传导分别由不同的部件组合完成,且提供稳固的结合效果,有效地解决传统银胶因兼具黏着及热传导功能,而容易造成黏着力降低的缺点;此外本发明可提高整体发光二极管的发光效率。
申请公布号 CN102299235A 申请公布日期 2011.12.28
申请号 CN201110157628.9 申请日期 2011.06.13
申请人 协鑫光电科技(张家港)有限公司 发明人 成诗恕
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;姜精斌
主权项 一种高发光效率的发光二极管,其特征在于,包含:发光芯片,其具有N型半导体材料层及P型半导体材料层;多个透光柱,形成在所述发光芯片的P型半导体材料层上;多个金属层,分别形成在每一个透光柱的端部;金属底板,结合所述多个透光柱,且与各金属层形成共晶结合;填充材料,其具有反射性及导热性,且填充于各透光柱之间的间距内。
地址 215600 江苏省苏州市张家港经济开发区