发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle, Speicherzelle sowie integrierte Schaltung
摘要 Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle, mit den folgenden Prozessen: – Dotieren einer Festkörperelektrolytschicht mit metallischem, Dotiermaterial, und – Abscheiden einer Elektrodenschicht oberhalb der Festkörperelektrolytschicht, wobei das Dotieren der Festkörperelektrolytschicht vor der Erzeugung der Elektrodenschicht ausgeführt wird, wobei das Dotieren der Festkörperelektrolytschicht ausgeführt wird, indem zumindest zweimal die folgende Prozesssequenz ausgeführt wird: – Abscheiden einer Dotierschicht, die metallisches Dotiermaterial aufweist oder daraus besteht, oberhalb der Festkörperelektrolytschicht, – Beaufschlagen der Dotierschicht mit einem thermischen Dissolutionsprozess, wodurch bewirkt wird, dass metallisches Dotiermaterial in die Festkörperelektrolytschicht hinein diffundiert, wobei wenigstens eine Prozesssequenz so ausgeführt wird, dass das gesamte metallische Dotiermaterial, das in der entsprechenden Dotierschicht enthalten ist, in die Festkörperelektrolytschicht hinein diffundiert.
申请公布号 DE102007045812(B4) 申请公布日期 2011.12.22
申请号 DE200710045812 申请日期 2007.09.25
申请人 ALTIS SEMICONDUCTOR SNC;QIMONDA AG 发明人 KASKO, IGOR, DR.;KUND, MICHAEL, DR.
分类号 H01L27/24;H01L21/38;H01L45/00 主分类号 H01L27/24
代理机构 代理人
主权项
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