| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该方法包括步骤：提供晶片，所述晶片背面具有多晶硅层，所述晶片正面具有半导体器件；形成覆盖所述多晶硅层的氧化物层。本发明解决了工艺线后段时清洗工艺对晶片背面的多晶硅层造成的损伤的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102290349A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201010208056.8 | 申请日期 | 2010.06.21 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 赵福;周国平;赵金强;牛建礼 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供晶片，所述晶片背面具有多晶硅层，所述晶片正面具有半导体器件；形成覆盖所述多晶硅层的氧化物层。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||