| 发明名称 | VDMOS晶体管结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种VDMOS晶体管结构及其形成方法，所述VDMOS晶体管结构包括：半导体衬底；第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；栅介质层，位于所述埋层上方的外延层上；栅电极，位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的沟道区，位于所述栅介质层两侧的外延层中；源区，位于所述栅介质层两侧的沟道区中；第一掺杂类型的连通结构，贯穿所述外延层并与所述埋层接触；其中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。本发明能够与标准BCD工艺兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN102290437A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110280377.3 | 申请日期 | 2011.09.20 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 刘建华 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 一种VDMOS晶体管结构，其特征在于，包括：半导体衬底；第一掺杂类型的埋层，位于所述半导体衬底内；第一掺杂类型的外延层，覆盖所述半导体衬底的表面；栅介质层，位于所述埋层上方的外延层上；栅电极，位于所述栅介质层上；第二掺杂类型的沟道区，位于所述栅介质层两侧的外延层中；源区，位于所述栅介质层两侧的沟道区中；第一掺杂类型的连通结构，贯穿所述外延层并与所述埋层接触；其中，所述第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||