| 发明名称 | 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制作在二氧化硅介质掩蔽层环形结构的内壁及覆盖部分环形结构表面的边缘，形成环状结构；一增透膜层，制作在正面接触电极的环状结构内，并覆盖p型参杂层的表面；一广谱吸收黑硅层，制作在n型硅基衬底层的背面；一介质钝化层，该介质钝化层为点状，形成在广谱吸收黑硅层的表面；一背面接触电极，制作在广谱吸收黑硅层的表面并覆盖点状的介质钝化层。 | ||
| 申请公布号 | CN102290481A | 申请公布日期 | 2011.12.21 |
| 申请号 | CN201110256554.4 | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘德伟;黄永光;朱小宁;王熙元;马丽;朱洪亮 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制作在二氧化硅介质掩蔽层环形结构的内壁及覆盖部分环形结构表面的边缘，形成环状结构；一增透膜层，制作在正面接触电极的环状结构内，并覆盖p型参杂层的表面；一广谱吸收黑硅层，制作在n型硅基衬底层的背面；一介质钝化层，该介质钝化层为点状，形成在广谱吸收黑硅层的表面；一背面接触电极，制作在广谱吸收黑硅层的表面并覆盖点状的介质钝化层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||