| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明目的在于提供一种半导体装置，能够作为表面保护膜而形成氮化膜并且抑制模制树脂的剥离。本发明所涉及的半导体装置，具有衬底、在该衬底上形成的元件、在该衬底上形成的氮化膜、在该氮化膜上形成的防止剥离膜、以及覆盖该防止剥离膜和该元件而形成的模制树脂。而且，该半导体装置的特征在于，该防止剥离膜为残留有压缩应力的膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102280416A | 申请公布日期 | 2011.12.14 |
| 申请号 | CN201110165501.1 | 申请日期 | 2011.06.08 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 奥村美香;山口靖雄;村上刚史 |
| 分类号 | H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;王忠忠 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：衬底；在所述衬底上形成的元件；在所述衬底上形成的氮化膜；在所述氮化膜上形成的防止剥离膜；以及覆盖所述防止剥离膜和所述元件而形成的模制树脂，所述防止剥离膜为残留有压缩应力的膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||