发明名称 浸渍曝光用光阻组成物及使用它之图案形成方法
摘要
申请公布号 TWI354186 申请公布日期 2011.12.11
申请号 TW094104750 申请日期 2005.02.18
申请人 富士软片股份有限公司 发明人 西山文之;高桥表
分类号 G03F7/038 主分类号 G03F7/038
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种图案形成方法,其包括:将一种光阻组成物涂布在基材上,以形成一光阻薄膜;及浸渍曝光该光阻薄膜;其中该光阻组成物包含:(A)树脂,其可在酸作用下增加于硷性显影剂中的溶解度;(B)光酸产生剂;及(C)混合溶剂,其含有烷二醇烷基醚羧酸酯及丙二醇单甲基醚。如申请专利范围第1项之图案形成方法,其中该使用于浸渍曝光的浸渍液体包含水。如申请专利范围第2项之图案形成方法,其中该浸渍液体进一步包含折射率实质上等于水的脂肪族醇。一种藉由浸渍曝光形成图案之光阻组成物,其包含:(A)树脂,其可在酸作用下增加于硷性显影剂中的溶解度;(B)光酸产生剂,其于光化射线或放射线照射下产生酸,包含下列通式(ZI-2)或(ZI-3)所代表之化合物;及(C)混合溶剂,其含有烷二醇烷基醚羧酸酯及丙二醇单甲基醚;@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!于式(ZI-2)中,R201至R203各自独立代表不含有芳香族环之有机基,X-代表非亲核性基;@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!于式(ZI-3)中,R1c至R5c各自独立地代表氢原子、烷基、环烷基、烷氧基或卤素原子,R6c及R7c分别代表氢原子、烷基或环烷基,Rx及Ry各自独立地代表烷基、环烷基、烯丙基或乙烯基,可结合R1c至R5c之任何二个或更多个或Rx及Ry,以形成一环结构,及该环结构可包括氧原子、硫原子、酯键结或醯胺键结,Zc-代表一非亲核性阴离子。如申请专利范围第4项之藉由浸渍曝光形成图案之光阻组成物,其中该混合溶剂(C)的混合比率(以质量计)为烷二醇烷基醚羧酸酯/丙二醇单甲基醚=4/6至9/1。如申请专利范围第4项之藉由浸渍曝光形成图案之光阻组成物,其中该混合溶剂(C)的混合比率(以质量计)为烷二醇烷基醚羧酸酯/丙二醇单甲基醚=4.5/5.5至8.5/1.5。如申请专利范围第4项之藉由浸渍曝光形成图案之光阻组成物,其中该混合溶剂(C)的混合比率(以质量计)为烷二醇烷基醚羧酸酯/丙二醇单甲基醚=5/5至8/2。如申请专利范围第4项之藉由浸渍曝光形成图案之光阻组成物,其中该混合溶剂(C)的混合比率(以质量计)为烷二醇烷基醚羧酸酯/丙二醇单甲基醚=6/4至7.5/2.5。
地址 日本