| 摘要 |
<p>본 발명은 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 p 전도성 타입 층 및 상기 p 전도성 타입 층의 외부에 형성되는 n+ 전도성 타입 층으로 구성되는 PN-접합층을 포함하는 다수의 마이크로 픽셀, 상기 마이크로 픽셀 주위에 배치되는 트렌치 전극, 및 상기 마이크로 픽셀 및 상기 트렌치 전극이 안착되는 동시에 외부로 연결되도록 부분적으로 개방된 상태로 형성되며 p 타입의 실리콘 웨이퍼로 된 기판을 포함하되, 상기 기판은 10~10㎝의 도핑 농도를 갖는 것을 그 구성상의 특징으로 한다. 본 발명에서 제안하고 있는 암전류가 감소된 실리콘 광전자 증배관에 따르면, 저농도의 p 전도성 타입 실리콘 기판을 이용하고 그 위에 PN-접합층을 형성함으로써, 고농도(저저항) 기판에 의해 생성되는 암전류의 비율 및 기판과 에피택시층의 경계면에서 발생하는 강한 전기장에 의해 생성되는 암전류의 비율을 감소시킬 수 있어서, 종래의 실리콘 광전자 증배관에 비해 암전류를 획기적으로 줄일 수 있다.</p> |
