发明名称 半导体激光装置
摘要 本发明的半导体激光装置,包括:引线框,具有表面和背面;半导体激光元件,安装在引线框的表面上;以及外壳,粘附在引线框上;其中,在将从半导体激光元件出射的主光束的方向定义为前方的情况下,引线框具有突起部,突起部的前截面位于出射主光束的半导体激光元件的前表面的后方;其中,引线框的背面从外壳露出。
申请公布号 CN1866649B 申请公布日期 2011.12.07
申请号 CN200610091631.4 申请日期 2003.03.28
申请人 株式会社东芝 发明人 河本聪
分类号 H01S5/00(2006.01)I;H01S5/022(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I 主分类号 H01S5/00(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 胡建新
主权项 一种半导体激光装置,包括:引线框,具有表面和背面;半导体激光元件,安装在所述引线框的所述表面上;以及外壳,安装在所述引线框上;其中,在将从所述半导体激光元件出射的主光束的方向定义为前方的情况下,所述引线框具有前断面,所述前断面位于比出射所述主光束的所述半导体激光元件的前表面靠后的位置,所述前断面成为相对于前述半导体激光元件的前后方向的基准的基准面;所述引线框具有侧断面,当所述半导体激光装置被安装到支持器上时,所述引线框的侧断面作为所述半导体激光元件在横向方向的基准,所述横向方向被定义为垂直于所述前方方向且平行于所述引线框的表面的方向;其中,所述引线框的背面从所述外壳露出。
地址 日本东京都