| 发明名称 | 双镶嵌结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种双镶嵌结构的制造方法，该双镶嵌结构的制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成阻挡层和介质层；刻蚀介质层形成通孔，所述通孔暴露阻挡层表面；在通孔侧壁形成通孔侧墙；在通孔内以及介质层上形成填充层，所述填充层填满通孔；刻蚀部分填充层和部分介质层形成沟槽，沟槽的位置与通孔的位置对应；刻蚀剩余的填充层和通孔内的阻挡层，直至暴露半导体衬底；去除所述通孔侧墙；在通孔和沟槽内形成金属层，以形成双镶嵌结构。本发明在通孔侧壁上形成通孔侧墙，所述通孔侧墙可避免在通孔侧壁上生成难溶的高分子聚合物，有利于提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102270601A | 申请公布日期 | 2011.12.07 |
| 申请号 | CN201010192417.4 | 申请日期 | 2010.06.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩秋华;周俊卿 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种双镶嵌结构的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成阻挡层和介质层；刻蚀所述介质层形成通孔，所述通孔暴露所述阻挡层表面；在所述通孔侧壁形成通孔侧墙；在所述通孔内以及所述介质层上形成填充层，所述填充层填满所述通孔；刻蚀部分填充层和部分介质层形成沟槽，沟槽的位置与通孔的位置对应；刻蚀剩余的填充层和通孔内的阻挡层，直至暴露所述半导体衬底；去除所述通孔侧墙；在所述通孔和所述沟槽内形成金属层，以形成双镶嵌结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||