太阳能电池的制造方法

摘要

本发明提供太阳能电池的制造方法，包括步骤：在单晶衬底上沉积多晶硅层；从多晶硅层一侧向单晶衬底上注入氢离子，在所述单晶衬底内形成空洞；通过离子注入在所述多晶硅层内形成相互接触的P型多晶硅层和N型多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述单晶衬底的一侧上形成第一电极；对所述单晶衬底和多晶硅层进行热退火；剥离所述单晶衬底；在剥离了单晶衬底的多晶硅层远离所述第一电极的一侧上形成第二电极结构。与现有技术相比，本发明将形成太阳能电池PN结的多晶硅层生长在单晶衬底上，由于晶格常数匹配更佳，因而生长出的多晶硅层中晶粒尺寸较大，可以提高太阳能电池的性能。并且，单晶衬底可以剥离，因而可以降低制造成本。

主权项

一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：在单晶衬底上沉积多晶硅层；从多晶硅层一侧向单晶衬底上进行离子注入，在所述单晶衬底内形成空洞；通过离子注入在所述多晶硅层内形成相互接触的P型多晶硅层和N型多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述单晶衬底的一侧上形成第一电极；对所述单晶衬底和多晶硅层进行热退火；剥离所述单晶衬底；通过等离子刻蚀去除多晶硅层上残留的单晶衬底材料，使多晶硅层表面粗糙化；在剥离了单晶衬底的多晶硅层远离所述第一电极的一侧上形成第二电极结构。