发明名称 |
高压发光二极管及其制造方法 |
摘要 |
高压发光二极管及其制造方法,包括陶瓷基板、蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片,其特征在于:高压发光二极管结构,是在正方形陶瓷基板上,中间加工一个正方形凹形槽和一个桥式电阻槽,首先在桥式电阻槽中先焊上桥式电阻,然后用自动固晶机将4个电压为47V至55V的高压蓝光芯片、4个电压为47V至55V高压绿光芯片、6个电压为32V至37V的高压红光芯片,用高导热绝缘胶粘贴在正方形凹形槽里,固化后,用自动焊线机将所述的4个蓝光芯片、4个绿光芯片和6个红光芯片上焊上金线,即将4个高压蓝光芯片串联、4个高压绿光芯片串联、6个高压红光芯片串联,然后再并联在一起,两端分别连在电极上,将6301硅胶均匀搅拌后,涂在正方形凹形槽里,胶量稍微鼓包溢出,然后迅速送入烘箱固化,就得到散热效果好、制作成本低、适合大批量生产的高压发光二极管。 |
申请公布号 |
CN102270632A |
申请公布日期 |
2011.12.07 |
申请号 |
CN201110202159.8 |
申请日期 |
2011.07.09 |
申请人 |
内蒙古华延芯光科技有限公司 |
发明人 |
吉爱华;汪英杰 |
分类号 |
H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L25/075(2006.01)I |
代理机构 |
包头市专利事务所 15101 |
代理人 |
郝荔蓁 |
主权项 |
高压发光二极管,包括陶瓷基板、蓝光芯片、绿光芯片和红光芯片,其特征在于:高压发光二极管结构,是在边长正方形陶瓷基板上,中间加工一个正方形凹形槽和一个桥式电阻槽,首先在桥式电阻槽中先焊上桥式电阻,然后用自动固晶机将4个电压为47V至55V的高压蓝光芯片、4个电压为47V至55V高压绿光芯片、6个电压为32V至37V的高压红光芯片,用高导热绝缘胶粘贴在正方形凹形槽里,固化后,用自动焊线机将所述的4个蓝光芯片、4个绿光芯片和6个红光芯片上焊上金线,即将4个高压蓝光芯片串联、4个高压绿光芯片串联、6个高压红光芯片串联,然后再并联在一起后,两端分别连在电极上,将6301硅胶均匀搅拌后,涂在正方形凹形槽里,胶量稍微鼓包溢出,然后迅速送入烘箱固化,烘箱的温度是155℃ 165℃,固化时间55分钟至65分钟,就得到高压发光二极管。
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地址 |
017400 内蒙古自治区鄂尔多斯市航锦旗新能源产业示范园区 |