Halbleiterbauelement mit einem vergrabenen Kondensator, der in der Kontaktebene ausgebildet ist

摘要

In einem Halbleiterbauelement werden Kondensatoren so hergestellt, dass diese direkt mit einem Transistor in Kontakt stehen, indem ein gemeinsames Transistorgebiet, etwa ein Draingebiet oder ein Sourcegebiet dicht liegender Transistoren als eine Kondensatorelektrode verwendet wird, während die andere Kondensatorelektrode in Form einer vergrabenen Elektrode in dem dielektrischen Material der Kontaktebene ausgebildet ist. Dazu wird dielektrisches Material so abgeschieden, dass es zuverlässig einen Hohlraum bildet, wobei während einer geeigneten Fertigungsphase ein Kondensatordielektrikumsmaterial so vorgesehen wird, dass es die Kondensatorelektroden trennt.