基于SiC热沉的单模大功率垂直腔面发射激光器

摘要

本发明涉及一种基于SiC热沉的单模大功率垂直腔面发射激光器。包括N电极，SiC衬底，N型DBR、有源区、氧化限制层，P型DBR、SiC(电极+窗口+热沉)、SiO2掩模，焊料。本发明特色在于采用倒装顶发射结构。出光窗口制作在P型DBR上，采用顶部出光方式，热沉也置于P面一端。SiC晶片经特殊技术改性处理后同时具备高热导率、高电导率以及近红外波段光的高透过率。以SiC晶片替代传统结构中P电极、出光窗口和热沉，将三者的功能合三为一。SiC晶片作为电极，以平面电极或非均匀网格电极形式代替传统VCSEL的环形P电极；SiC晶片作为热沉材料，热膨胀系数与GaAs类材料相近，与外延片中的P面直接倒装连接；SiC晶片同时成为出光窗口。

主权项

一种基于SiC热沉的单模大功率垂直腔面发射激光器(VCSEL)，其特征在于：所述的单模大功率VCSEL采用倒装顶发射结构，包括N电极1，衬底2，N型DBR3、有源区4、氧化限制层5，P型DBR6、SiC(电极+窗口+热沉)7、SiO2掩模8，焊料9。