发明名称 热辐射散热发光二极管结构及其制作方法
摘要 本发明公开了一种热辐射散热发光二极管结构及其制作方法,包括LED磊晶层、蓝宝石基板、黏着导热层、热辐射散热薄膜及底座基板,LED磊晶层在蓝宝石基板上形成,热辐射散热薄膜在基板上形成,黏着导热层位于蓝宝石基板与热辐射散热薄膜之间以结合包含LED磊晶层的蓝宝石基板及包含热辐射散热薄膜的底座基板。热辐射散热薄膜包含金属与非金属的组合物,并具有结晶体的显微结构,尤其是具有高效率的热辐射散热特性,可将LED磊晶层所产生的热量以热辐射方式快速的朝向底座基板而向外传播,因此能大幅降低LED磊晶层的操作温度,维持稳定的发光操作并延长使用寿限。
申请公布号 CN102263185A 申请公布日期 2011.11.30
申请号 CN201010185720.1 申请日期 2010.05.28
申请人 景德镇正宇奈米科技有限公司 发明人 陈烱勋
分类号 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I 主分类号 H01L33/48(2010.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人 刘俊
主权项 一种热辐射散热发光二极管结构,其特征在于,包括:一蓝宝石基板;一发光二极管芯片,形成于该蓝宝石基板上,且包括至少依序堆栈的一N型半导体层、一半导体发光层、一P型半导体层,其中该半导体发光层可在顺向偏压而导通时发射光线;一底座基板;一热辐射散热薄膜,形成于该底座基板上;一黏着导热层,位于该蓝宝石基板及该热辐射散热薄膜之间,用以连结该蓝宝石基板及该热辐射散热薄膜;至少一电气连接线,用以分别电气连接至该LED磊晶层的N型半导体层及P型半导体层至外部电源的正电端及负电端;以及一封装胶体,用以包覆该LED磊晶层;其中,该热辐射散热薄膜包含金属与非金属的组合物,且该组合物包含银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一,以及包含硼、碳的至少其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化物,且该热辐射散热薄膜具有结晶体的显微结构。
地址 333400 江西省景德镇市浮梁县陶瓷工业园区外环路