| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使处理气体进入以自如升降的方式设置的上部电极的上部空间中，也很容易将其排出的等离子体处理装置。在该装置中设有：在处理室(102)的顶壁(105)中与下部电极(111)相对以升降自如的方式设置，且设有导入处理气体的多个吹出孔(123)的上部电极(120)；围绕各个电极和其间的处理空间的周围的保护侧壁(310)；设置于保护侧壁的内侧，排出处理空间的气体的内侧排气通道(330)；和设置于保护侧壁的外侧，排出流入上部电极和顶壁之间的空间的处理气体的外侧排气通道(138)。 | ||
| 申请公布号 | CN102262999A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201110146665.X | 申请日期 | 2011.05.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 堀口将人;辻本宏;北泽贵 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，其对处理室内的基板实施规定的等离子体处理，该等离子体处理装置的特征在于，包括：设置于所述处理室的底壁，且载置所述基板的下部电极；与所述下部电极相对设置，且设置有向被载置的所述基板导入处理气体的多个吹出孔的上部电极；在所述电极间施加用于形成所述处理气体的等离子体的高频电力的电极供给部；设置于所述处理室的顶壁，使所述上部电极在所述顶壁与所述下部电极之间升降的升降机构；围绕各所述电极和各电极之间的处理空间的周围的筒状壁；设置于所述筒状壁的内侧，对所述处理空间的气氛进行排气的内侧排气通道；和设置于所述筒状壁的外侧，对迂回流入所述上部电极与所述顶壁之间的空间的处理气体进行排气的外侧排气通道。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||