| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种非易失性存储器件，包括：管绝缘层，所述管绝缘层具有管沟道孔；管栅，所述管栅位于管绝缘层之上；一对单元串，所述一对单元串中的每个单元串具有柱状单元沟道；和管沟道，所述管沟道使柱状单元沟道耦合并包围管沟道孔的内侧壁和底部。 | ||
| 申请公布号 | CN102263109A | 申请公布日期 | 2011.11.30 |
| 申请号 | CN201010502529.5 | 申请日期 | 2010.10.11 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 李起洪;洪权;辛大圭 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：管绝缘层，所述管绝缘层具有管沟道孔；管栅，所述管栅位于所述管绝缘层之上；一对单元串，所述一对单元串中的每个单元串具有柱状单元沟道；和管沟道，所述管沟道使所述柱状单元沟道耦合，并包围所述管沟道孔的内侧壁和底部。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||