发明名称 СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
摘要 Способ отбраковки потенциально ненадежных транзисторов, в соответствии с которым проводят измерение коэффициента усиления транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах, отличающийся тем, что для каждого транзистора сначала вычисляют значения абсолютной разности коэффициента усиления при повышенной и нормальной температурах по формуле: , и значения относительного изменения коэффициента усиления от температуры по формуле: К=h21Э100°С/h21Э100°С, где h21Э100°С, h21Э20°С - значения коэффициента усиления при повышенной и нормальной температуре, и отбраковывают транзисторы, если они удовлетворяют одновременно двум критериям: Δ≥Δсредн, К≥Ксредн, где Δсредн - среднее значение абсолютных разностей и Ксредн - среднее значение относительного изменения в выборке для данного типа транзисторов.
申请公布号 RU2010121306(A) 申请公布日期 2011.11.27
申请号 RU20100121306 申请日期 2010.05.25
申请人 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси 发明人 Горлов Митрофан Иванович (RU);Смирнов Дмитрий Юрьевич (RU);Золотарева Екатерина Александровна (RU);Жуков Дмитрий Михайлович (RU)
分类号 G01R31/00 主分类号 G01R31/00
代理机构 代理人
主权项
地址