摘要 |
Способ отбраковки потенциально ненадежных транзисторов, в соответствии с которым проводят измерение коэффициента усиления транзисторов в схеме с общим эмиттером при нормальной и повышенной температурах, отличающийся тем, что для каждого транзистора сначала вычисляют значения абсолютной разности коэффициента усиления при повышенной и нормальной температурах по формуле: , и значения относительного изменения коэффициента усиления от температуры по формуле: К=h21Э100°С/h21Э100°С, где h21Э100°С, h21Э20°С - значения коэффициента усиления при повышенной и нормальной температуре, и отбраковывают транзисторы, если они удовлетворяют одновременно двум критериям: Δ≥Δсредн, К≥Ксредн, где Δсредн - среднее значение абсолютных разностей и Ксредн - среднее значение относительного изменения в выборке для данного типа транзисторов. |