发明名称 |
新型有机半导体固态激光器及其制备方法 |
摘要 |
本发明及一种新型有机半导体固态激光器及其制备方法。该激光器是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个分布型布拉格共振器DBR或分布反馈型共振器DFB;该共振器选用LiF、SiO2、SiNx或Al2O3通过真空镀膜或者磁控溅射方法完成,其布拉格波长λBragg的计算公式为:λBragg=neff2Λ/m,其中neff是有效的折射率常数,m和Λ分别是光栅的衍射级和周期。本发明结合光致发光和电致发光,利用高强度的OLED的EL光,泵浦同一器件上的低ASE阈值有机薄膜,以此避免OLED期间中的有机发光层中对电荷和激子对光的吸收,以及强光产生的激子拆分,实现OLED泵浦型激光。 |
申请公布号 |
CN101388523B |
申请公布日期 |
2011.11.23 |
申请号 |
CN200810201991.4 |
申请日期 |
2008.10.30 |
申请人 |
上海大学 |
发明人 |
魏斌;孙三春;张建华;张志林 |
分类号 |
H01S5/36(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/36(2006.01)I |
代理机构 |
上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 |
代理人 |
何文欣 |
主权项 |
一种有机半导体固态激光放大辐射结构,以有机电致发光二极管为模板,包括玻璃基板、透明电极、有机层、激光染料层和阴极,其特征在于在所述的透明电极上制作出一个分布型布拉格共振器DBR,在该分布型布拉格共振器DBR的两端为所述的激光染料层,在该分布型布拉格共振器DBR的内部凹槽部分填充有所述的有机层,上部覆盖所述的阴极。 |
地址 |
200444 上海市宝山区上大路99号 |