一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法

摘要

本发明涉及一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，当等晶过程中出现抽气孔堵塞时，采取以下步骤排除抽气孔处的沉积物：A、降下单晶炉内温度至硅的结晶温度。B、关闭单晶炉主室的电磁球阀；C、将单晶炉内的气体压力从600～800帕升至8万～9.5万帕，然后关闭进气口；D、敲打抽气管或使之震动，使沉积物松动，打开单晶炉主室的电磁球阀，使堵塞在抽气孔中的沉积物被气流冲走；E、打开进气口，重新调节单晶炉内的气体压力至600～800帕，同时升高单晶炉内温度至硅的溶点温度。采用本发明方法，可以在不停炉的情况下直接排除抽气孔处的粉尘、氧化物和其它杂质等沉积物，减少了能耗，提高了成品率和生产效率。

主权项

一种单晶炉抽气孔堵塞的处理方法，其特征在于当等晶过程中出现抽气孔堵塞时，采取以下步骤排除抽气孔处的沉积物：A、降下单晶炉内温度至硅的结晶温度。B、关闭单晶炉主室的电磁球阀；C、将单晶炉内的气体压力从600～800帕升至8万～9.5万帕，然后关闭进气口；D、打开单晶炉主室的电磁球阀，使堵塞在抽气孔中的沉积物被气流冲走；E、打开进气口，重新调节单晶炉内的气体压力至600～800帕，同时升高单晶炉内温度至硅的溶点温度。