保护中心裸片区域免于被带电粒子损害的装置和方法

摘要

装置和方法，在处理执行处理的边缘附近区域的过程中保护衬底的处理排除区。除去不想要的材料仅仅是从该边缘附近区域，而该中心器件区域被保护免于损害。场强被配置为保护该中心区域免于被来自处理室中的等离子体的带电粒子损害并有利于只从该边缘附近区域除去不想要的材料。磁场被配置为具有毗邻该中心和该边缘附近区域之间的边界的顶点值。剧烈的场坡度在径向远离该边界和远离该中心区域从该峰值是从峰值延伸以排斥该带电粒子免于进入该中心区域。该场的强度和位置是可通过磁体部分的轴向相对运动可以调节的，而且通量板被配置为重定向该场以进行想要的保护。

主权项

用于保护晶片的中心裸片区域免于被处理室中的带电粒子损害的装置，该装置包含：第一电极，其被配置为将该晶片安装在该处理室中，其中中心器件区域在以晶片轴为中心的器件边界内，并且其中晶片边缘排除区远离该轴和该边界径向延伸；第二电极，其被配置为具有场环安装部分，该场环安装部分相对于该边界并远离该轴径向延伸并且毗邻该边界；以及场环布置，其被配置为建立能够对该带电粒子施加力以排斥该粒子免于移动到该中心器件区域的场，该场环布置被安装在该场环安装部分中并被配置以便该场具有被配置为具有毗邻该边界的顶点值的场强坡度，该场强坡度限定场强与远离该轴并远离该边界的径向距离的增加成反比增加，该场强的该坡度和该顶点值排斥该带电粒子免于朝该轴径向移动经过该边界。