发明名称 | 基于硫属化物的光伏器件及其制造方法 | ||
摘要 | 在一个示例实施方式中,方法包括,在基板上溅射一个或多个吸收层。在特定实施方式中,在所述溅射之前以及在溅射所述一个或多个吸收层的每一个期间,将所述基板预热至基板温度为至少约300摄氏度;并且所述吸收层中的至少一个的溅射在具有至少0.5帕斯卡压强的溅射气氛下进行。此外,在特定实施方式中,所述吸收层中的至少一个的溅射包括,由包括硫属化物合金的溅射靶进行的溅射,所述硫属化物合金包含铜(Cu)和硫(S)、硒(Se)或碲(Te)中的一种或多种。 | ||
申请公布号 | CN102257634A | 申请公布日期 | 2011.11.23 |
申请号 | CN200980151493.6 | 申请日期 | 2009.12.21 |
申请人 | AQT太阳能公司 | 发明人 | 马里安娜·罗迪卡·穆特安祐;伊洛·戈特 |
分类号 | H01L31/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 肖善强 |
主权项 | 一种光伏电池,其包括:转化层,所述转化层包括:一个或多个半导体吸收层,每一层具有第一掺杂类型,其中所述吸收层中的一个或多个包含至少一种硫属化物,并且其中所述硫属化物包含铜(Cu)并且包含硫(S)、硒(Se)或碲(Te)中的一种或多种;一个或多个半导体缓冲层,每一层具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型;其中所述缓冲层共同地被放置成与形成缓冲层和吸收层之间的界面的吸收层直接相邻,并且其中直接相邻所述界面的吸收层中的界面区域的Cu含量小于或等于约30原子百分比。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |