| 发明名称 |
镶嵌内连线结构与双镶嵌制程 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI353036 |
申请公布日期 |
2011.11.21 |
| 申请号 |
TW096101203 |
申请日期 |
2007.01.12 |
| 申请人 |
聯華電子股份有限公司 新竹市新竹科學工業園區力行二路3號 |
发明人 |
黄俊仁;赖育聪;姚志成;廖俊雄 |
| 分类号 |
H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/768 |
| 代理机构 |
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代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
| 主权项 |
一种镶嵌制程，包含有以下之步骤：提供一基材，其具有一底层介电层、一形成在该底层介电层中之下层导电层，以及一覆盖住该下层导电层及该底层介电层的氮化矽盖层；于该氮化矽盖层上沈积一介电层；于该介电层中蚀刻出一开口，暴露出部分的该氮化矽盖层；以及进行一衬垫层蚀除(LRM)制程，利用一四氟化碳(CF4)/三氟化氮(NF3)气体电浆，选择性地蚀除经由该开口暴露出来的该氮化矽盖层，以暴露出部分的该下层导电层以及该底层介电层，形成一介层洞开口，其中于该介层洞开口之底部，该下层导电层及该底层介电层之间的落差仅小于150埃。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
