| 发明名称 |
半导体制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI353055 |
申请公布日期 |
2011.11.21 |
| 申请号 |
TW096106070 |
申请日期 |
2007.02.16 |
| 申请人 |
瑞薩電子股份有限公司 日本 |
发明人 |
村松谕 |
| 分类号 |
H01L29/772;H01L21/334;H01L21/76 |
主分类号 |
H01L29/772 |
| 代理机构 |
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代理人 |
周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼 |
| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，该半导体含有一场效电晶体，该半导体装置的制造步骤包含：在一矽基板上形成一隔离区，以包围一待形成场效电晶体的区域；在形成有该隔离区之该矽基板上磊晶成长一应变引发层；磊晶成长一矽层在该应变引发层上；以及在该矽层中形成该场效电晶体，且电晶体源极/汲极区和该应变引发层分开；其中，该应变引发层引发在矽层中的该场效电晶体通道部份中的应变。 |
| 地址 |
日本 |
