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Es soll ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung zur Verfügung gestellt werden, mit dem die Festigkeit eines Wafers gewährleistet wird und die Leistung der Anordnung verbessert werden kann. Von einer Vorderseite eines Wafers her wird eine Thermodiffusionsschicht ausgebildet, von einer Rückseite her wird eine konisch zulaufende Vertiefung, die bis an die Thermodiffusionsschicht heranreicht, durch anisotropes Ätzen mit einer alkalischen Lösung ausgebildet, und an Seitenwandflächen der Vertiefung wird eine in der Vertiefung befindliche Thermodiffusionsschicht ausgebildet. Eine Trennschicht eines rückwärts sperrenden IGBT besteht aus der Thermodiffusionsschicht und der in der Vertiefung befindlichen Diffusionsschicht, und es ist möglich, die Thermodiffusionsschicht durch Ausbilden der in der Vertiefung befindlichen Diffusionsschicht flach auszubilden und die Dauer der Thermodiffusion wesentlich zu verkürzen. Darüber hinaus kann durch getrenntes Durchführen einer Ionenimplantation zum Ausbilden der in der Vertiefung befindlichen Diffusionsschicht und einer Ionenimplantation zum Ausbilden einer Kollektorschicht ein optimaler Wert für den Kompromiss zwischen der Einschaltspannung und dem Schaltverlust erzielt werden und dabei kann die Sperrspannung des rückwärts sperrenden IGBT in Rückwärtsrichtung gewährleistet werden.
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