| 发明名称 | 与CMOS加工技术兼容的双极器件 | ||
| 摘要 | 一种双极器件包括：设置在半导体衬底上的第一极性的发射极；设置在半导体衬底上的第一极性的集电极；网状配置中的用于限定发射极和集电极的栅图案；在栅图案下的第二极性的内部基极；和设置在栅图案上并与内部基极耦合的、用于与内部基极一起形成双极器件的基极的外部基极。 | ||
| 申请公布号 | CN101593752B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200910126310.7 | 申请日期 | 2009.02.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 庄建祥;薛福隆 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 一种双极器件，包括：设置在半导体衬底上的第一极性的发射极；设置在半导体衬底上的第一极性的集电极；网状配置的用于限定发射极和集电极的栅图案；在栅图案下的第二极性的内部基极；和设置在栅图案上并与内部基极耦合的、用于与内部基极一起形成双极器件的基极的外部基极。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||