包含钌掺杂的氧化钽基电阻型存储器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体存储器技术领域，具体为包含钌掺杂的氧化钽基电阻型存储器。该电阻型存储器包括上电极、下电极、以及设置在上电极和下电极之间的包含钌掺杂的氧化钽基存储介质层。包含Ru掺杂的氧化钽基存储介质层中，通过分布的Ru元素，可以有效控制氧化钽基存储介质层中导电灯丝中形成的位置以及数量，避免了随机形成的可能。因此，该存储器性能更加稳定，器件性能参数的波动小。同时，易于与32纳米或者32纳米以下铜互连工艺集成。

主权项

一种氧化钽基电阻型存储器，包括上电极、下电极，其特征在于，还包括设置在上电极和下电极之间的包含钌掺杂的氧化钽基存储介质层。