发明名称 | 高压侧半导体结构 | ||
摘要 | 一种高压侧半导体结构。高压侧半导体结构包括一基板、一第一深井、一第二深井、一第一主动组件、一第二主动组件及一掺杂井。第一深井及第二深井形成于基板内。其中第一深井及第二深井具有相同的离子掺杂型态。第一主动组件及第二主动组件分别形成于第一深井及第二深井内。掺杂井形成于基板内,并形成于第一深井及第二深井之间。掺杂井、第一深井及第二深井相互分开,且第一深井及第二深井与掺杂井具有互补的离子掺杂型态。 | ||
申请公布号 | CN101789432B | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
申请号 | CN201010118974.1 | 申请日期 | 2010.01.27 |
申请人 | 崇贸科技股份有限公司 | 发明人 | 邰翰忠;蒋昕志 |
分类号 | H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥 |
主权项 | 一种高压侧半导体结构,包括:一基板;一第一深井及一第二深井,形成于该基板内,其中该第一深井及该第二深井具有相同的离子掺杂型态;一第一主动组件及一第二主动组件,分别形成于该第一深井及该第二深井内;以及一掺杂井,形成于该基板内,并形成于该第一深井及该第二深井之间,该掺杂井、该第一深井及该第二深井相互分开,且该第一深井及该第二深井与该掺杂井具有互补的离子掺杂型态,其中,该掺杂井与该第一深并之间具有一第一间隙区域,该掺杂井与该第二深井之间具有一第二间隙区域。 | ||
地址 | 中国台湾台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 |