| 发明名称 | 半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，包括如下步骤：形成基准折射率的氮化硅层；对所述氮化硅层进行快速热处理以改变所述氮化硅层的折射率。本发明的氮化硅层的制备方法不需要改变氮化硅沉积过程的工艺参数，就可以获得不同折射率的氮化硅层，制备周期短，工艺简单，成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102243999A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN201110176487.5 | 申请日期 | 2011.06.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张永福 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种半导体器件制备过程中氮化硅层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：形成基准折射率的氮化硅层；对所述氮化硅层进行快速热处理以改变所述氮化硅层的折射率。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||