真空处理装置

摘要

本发明的课题为，对于利用具有游离基通过的多个贯通孔的隔壁板将真空反应室内分离成等离子体放电空间和基板处理空间、在等离子体放电空间中产生的游离基通过隔壁板的前述多个贯通孔导入基板处理空间、对配置在基板处理空间中的基板进行处理的装置，改善伴随隔壁板整体的更换的装置的运转成本。本发明利用隔壁本体和控制板形成隔壁板，从而解决了上述课题，其中，所述隔壁本体配有多个贯通孔，所述控制板配置在该隔壁本体的等离子体生成空间侧，在与配置在隔壁本体上的前述贯通孔对应的位置处具有游离基通过孔。

主权项

一种真空处理装置，利用成膜处理对基板进行处理，包括：反应室；板，所述板具有被构造和定位成允许从其中通过的多个贯通孔，并且所述板将所述反应室分离成等离子体生成空间和基板处理空间，在所述等离子体生成空间设置有等离子体生成电极，基板将被置于所述基板处理空间；其中，通过将等离子体生成气体输送到所述等离子体生成空间中以产生等离子体，由因此而生成的等离子体产生游离基，并且，将所述游离基通过所述板中的所述多个贯通孔输送到所述基板处理空间中，从而，在放置于所述基板处理空间中的基板上进行所述成膜处理，其中，所述板包括：分隔体，所述分隔体具有多个通孔和形成于所述分隔体内部的气体扩散空间，并且，所述气体扩散空间通过扩散孔与所述基板处理空间连通，以便使供给的成膜气体扩散，并且使扩散的成膜气体通过所述扩散孔流入所述基板处理空间，然而，所述气体扩散空间相对于所述等离子体生成空间被封闭，以便要被引入到所述基板处理空间的供给的成膜气体直到进入所述基板处理空间为止不与所述游离基接触，控制板，所述控制板可拆卸地安装在所述分隔体上用以进行更换，并且，所述控制板位于所述分隔体的所述等离子体生成空间侧；其中，所述控制板具有与所述分隔体中的多个通孔对齐的游离基通过孔，并且，所述游离基通过孔的直径小于所述通孔的直径，从而，由所述控制板中的游离基通过孔的直径确定被引入所述基板处理空间的游离基的量。