| 发明名称 | 具有增大的击穿电压特性的基于沟槽的功率半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有提供增大的击穿电压和其它益处的特征的示例性功率半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102246306A | 申请公布日期 | 2011.11.16 |
| 申请号 | CN200980149199.1 | 申请日期 | 2009.11.30 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 约瑟夫·A·叶季纳科;阿肖克·沙拉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一多个平行沟槽，在半导体区中延伸，各个沟槽具有竖直堆叠其中的屏蔽电极和栅电极，所述屏蔽电极和栅电极彼此电绝缘；第一焊盘，适于接受第一外部连接，并电耦接至所述第一多个平行沟槽的所述屏蔽电极；第二焊盘，适于接受第二外部连接；导电迹线，电耦接至第二焊盘和所述第一多个平行沟槽的至少一个沟槽的所述栅电极；第二多个平行沟槽，在半导体区中延伸并设置在所述第二焊盘和所述导电迹线中的至少一个的下方，所述第二多个平行沟槽的各个沟槽具有设置在其中的第一电极。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||