| 摘要 |
<p>[해결수단] 클리닝 가스를 플라즈마화하여 얻은 플라즈마에 의해 처리 용기내(2)에 부착한 부착물을 제거하는 클리닝 공정(a)과, 탄소와 불소를 포함하는 성막 가스를 플라즈마화하여 얻은 플라즈마에 의해, 상기 처리 용기 내부에 있어서의 상기 플라즈마에 노출되는 부위에 CF막을 성막하는 성막 공정(b)과, 이어서 상기 처리 용기 내의 재치대에 웨이퍼(W)를 재치하여, 에칭 가스를 플라즈마화하여 얻은 플라즈마에 의해 상기 웨이퍼(W)에 대하여 에칭하는 에칭 공정(c)과, 이 에칭 공정(c) 후에 상기 처리 용기로부터 웨이퍼(W)를 반출하는 공정(d)을 실시하는데 있어서, 상기 (d)가 종료한 후, 상기 (a) 내지 (d)를 실시한다.</p> |
